低内阻加湿器30V8A场效应管 小封装SOT23-3
深圳惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 ， 大量现货 量大价优欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越,
东莞市惠海半导体有限公司0-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
型号:HC3600M参数：30V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容445pF， 封装：贴片（SOT23-3），低开启电压1.5V，低结电容，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
更多型号如下：
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A(35N10)TO-252封装
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06)TO-252封装，汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V50A SOP-8封装
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V15A 15N06TO-252封装
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 60V6A SOT23-3封封装
型号：HC080N06LSS N沟道场效应管 60V10A SOP-8封装
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装
100V40A (40N10)TO-252封装
型号：HC160N10LS N沟道场效应管 100V5A(5N10)SOT23-3封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
100V6A (6N10)SOT23-3封装
100V4A (4N10)SOT23-3封装
100V3A (3N10)SOT23-3封装
型号：HC240N15L N沟道 150V8A（8N15）TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
150V2A（2N15）SOT23-3封装
100V5A 5N10，100V2A 2N10，100V3A 3N10 ,100V4A 4N10，SOT23-3封装
2301 2300 2302 3400 3401 3402 30V8A MOS管 SOT2303
10N10 15N10 17N10 25N10 30N10 40N10 35N10 2N10 3N10 4N105N10 6N10
15N06 20N06 25N06 30N06 35N06 40N06 50N06
30N03
10N15 15N15
3400 3402 3600
场效应晶体管（Field EffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，它的制造工艺可以方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
