HC3600M 一盘3000,品质保证,货源充足,量大价格实惠
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东莞惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 , 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越
东莞市惠海半导体有限公司20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
型号:HC3600M参数:30V8A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,低结电容445pF, 封装:贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,低结电容,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强