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mos管电源总开关电子器件理想的光耦电路
(1)功率开关管开启时，光耦电路可以确保快速提高的基极电总流量，促进开启的时候会充裕的控制器功率，从而降低打开损耗。
(2)电源总开关管导通期限内，mos驱动电路给与的基极电总流量在全部负载情况下都可以保证稳压管处于饱和导通状况，保证较为低的导通损耗。为降低存储时间，电子器件关掉前要处于临界点饱和状态。
(3)关掉时，光耦电路应确保充足的反向基极促进，以极速的抽离出来基区的剩余自由电荷回收利用LED芯片 LED方式处理芯片降低存储时间;并加反偏截止电压，使集电结电总流量极速降落以降低着陆时长。当然，晶闸管的关掉重要或者靠反向阳极氧化处理气体压力来开展关掉的。
目前来讲，相关晶闸管的促进用的较为多的是只是根据变压器或者线性光耦来把低压端与髙压端隔开，再根据转换电路来促进晶闸管的连接。而相关IGBT来讲目前用的较多的是 IGBT 的驱动模块，都是有一体化了 IGBT、 系统自维修保养、 自诊断等每一个作用控制器的IPM。
原文中针对大伙儿常见到的晶闸管，设计实验光耦电路，并停止实考证明了它能够促进晶闸管。而相关IGBT的促进，原文中重要举荐了如今重要的几种 IGBT的驱动方式，以及与它们相对应的光耦电路，并对普遍的线性光耦的驱动方式停止了仿真实验
